半導體物理與元件

半導體元件(第七版)(Streetman 7/e)

+作者:

龔正/鄭岫盈/吳忠義(Streetman 7/e)

+年份:
2017 年7 版
+ISBN:
9789862803646
+書號:
EE0448
+規格:
16開/平裝/單色
+頁數:
632
+出版商:
培生
+參考網址:
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本版新增內容

   MOS元件:增加先進元件的解說,包括彈道式(ballistic)FET、鰭式FET、應力式(strained)矽元件、金屬閘高介質(MGHK)元件,以及III-V族高通道遷移率元件。
   光電元件:增加寬能隙含氮半導體元件,以及量子疊接雷射。
   全新的奈米電子章節:令人震撼的新視野,例如二維結構材料之石墨烯與拓墣絕緣體、一維材料之奈米線,以及零維材料之量子點。
   自旋電子學(spintronics)、電阻式記憶體,以及相變化記憶體。
   100道全新習題,以及與新增內容相關的最新參考文獻。

譯者簡介
龔正
學歷;美國佛羅里達大學電機博士
經歷:華大學電機系教授
現任:東海大學電機系教授 

鄭岫盈
學歷:國立成功大學電機博士
現職:國立宜蘭大學電子系教授

吳忠義
學歷:成功大學物理學研究所博士
現職:正修科技大學電子工程系副教授、資訊工程系副教授、兼研究;發展處副研發長、兼校外實習中心主任

第 1 章 半導體的晶格特性與成長
第 2 章 原子和電子
第 3 章 半導體的能帶與帶電載子
第 4 章 半導體內的過量載子
第 5 章 接面
第 6 章 場效應電晶體
第 7 章 雙載子接面電晶體
第 8 章 光電元件
第 9 章 積體電路
第10章 高功率高頻奈米電子元件
附錄 I 常用符號之定義
附錄 II 物理常數及轉換因子
附錄 III 半導體材料之性質
附錄 IV 導帶能態密度的推導
附錄 V 推導費米-迪拉克統計
附錄 VI 在 Si (100) 上成長乾式及濕式氧化層厚度為時間和溫度之函數
附錄 VII 矽中雜質的固溶率
附錄 VIII Si 與 SiO2 中摻雜質的擴散係數
附錄 IX 矽中投影範圍和散落為佈植能量的函數
自我測驗問題選答